第三章CMOS集成电路工艺流程白雪飞中国科学技术大学电子科学与技术系•多晶硅栅CMOS工艺流程•可用器件•工艺扩展提纲2多晶硅栅CMOS工艺流程•初始材料–重掺杂P型(100)衬底硅，P+–减小衬底电阻，提高抗CMOS闩锁效应能力•外延生长–在衬底上生长一层轻掺杂P型外延层，P-–厚度5~10um–可以比CZ硅更精确的控制外延层的电学特性，从而更好的控制器件参数衬底材料4•N阱扩散–热氧化–N阱掩模板光刻氧化层–磷离子注入–高温推进，同时形成缓冲氧化层•N阱工艺–能够提供性能稍好的NMOS晶体管，并允许衬底接地N阱扩散5•反型槽工艺–淀积氮化硅–反型槽掩模板光刻氮化硅–刻蚀场区氮化硅反型槽6沟道终止注入7•LOCOS氧化•刻蚀去除氮化硅•去除缓冲氧化层•生长虚拟氧化层LOCOS工艺和虚拟栅氧化8•阈值调整–硼注入调整阈值电压–剥除虚拟栅氧化层•栅氧化层–干氧法–氧化过程很短，栅氧化层很薄阈值调整和栅氧化层生长9•本征多晶硅淀积•多晶硅掩模光刻、多晶硅层刻蚀•多晶硅重掺杂磷（淀积、注入）多晶硅淀积和光刻10•NSD/PSD掩模板光刻•通过暴露的栅氧化注入杂质–多晶硅栅作为源/漏自对准注入的掩模板•去除光刻胶•短暂退火，激活注入杂质源/漏注入11•接触–淀积多层氧化物(MLO)–接触掩模光刻、刻蚀接触孔区域–重掺杂区域可以形成欧姆接触•金属化–接触孔硅化–难熔金属薄膜淀积、掺铜铝层淀积–金属掩模光刻、金属刻蚀，形成互连结构–淀积夹层氧化物(ILO)–刻蚀ILO通孔，第二层金属互连–......•保护层–最后一层金属上淀积保护层，厚的磷硅玻璃、压缩氮化层等接触、金属化和保护层12多晶硅栅CMOS晶圆剖面13典型CMOS工艺流程图14典型CMOS工艺流程图15典型CMOS工艺流程图16典型CMOS工艺流程图17典型CMOS工艺流程图18典型CMOS工艺流程图19典型CMOS工艺流程图20典型CMOS工艺流程图21典型CMOS工艺流程图22典型CMOS工艺流程图23典型CMOS工艺流程图24典型CMOS工艺流程图25典型CMOS工艺流程图26典型CMOS工艺流程图27典型CMOS工艺流程图28典型CMOS工艺流程图29典型CMOS工艺流程图30典型CMOS工艺流程图31典型CMOS工艺流程图32典型CMOS工艺流程图33典型CMOS工艺流程图34典型CMOS工艺流程图35典型

2023/9/41马国光E-MAIL:swpimgg@126.com石油工程学院油气储运研究所CNG、LNG、L-CNG技术2023/9/42CNG加气站技术2023/9/43CNG加气站分类CNG加气站是指以压缩天然气（CNG）形式向天然气汽车(NGV)和大型CNG子站车提供燃料的场所。根据气源不同和规模大小，CNG加气站分为标准站、母站和子站。1、标准站通常建在有低压天然气管线通过的地方，从天然气管线直接取气，天然气通过脱硫、脱水等工艺，进入压缩机进行压缩，然后进入储气装置储存或通过加气机给车辆加气。标准站加气量一般在600～1000m3/h之间。一、CNG加气站CNG——compressednaturalgas（压缩天然气）2023/9/442、母站通常建在临近天然气高压管线的地方，从天然气管线直接取气，经过脱硫、脱水等工艺，进入压缩机进行压缩，然后进入储气装置储存或通过加气柱给CNG槽车加气，大多数母站还可以通过加气机给天然气汽车加气。母站供气规模较大，加气量一般在4000m³/h以上。3、子站建在周围没有天然气管线或不宜使用管道天然气的地方，通过CNG槽车从母站运来的压缩天然气给天然气汽车加气，一般还需配置小型压缩机和储气装置。为提高CNG槽车的取气率，用压缩机将转运车内的低压气体升压后，储存在站内储气装置或直接给车辆加气。一、CNG加气站2023/9/45问题：我国天然气的质量指标是什么？《车用压缩天然气》质量指标是什么？一、CNG加气站2023/9/46y项目一类二类三类高位发热量，MJ/m3＞31.4总硫（以硫计），mg/m3≤100≤200≤460硫化氢，mg/m3≤6≤20≤460二氧化碳，，%≤3.0—水露点，℃在天然气交接点的压力和温度条件下，天然气的水露点应比最低环境温度低5℃。注：1天然气体积的标准参比条件是101.325kPa，20℃。2国家标准实施之前建立的天然气输送管道，在天然气交接点的压力和温度条件下，天然气中应无游离水。无游离水是指天然气经机械分离设备分不出游离水。一、CNG加气站2023/9/47《车用压缩天然气》（GB18047-2000）规定天然气的技术指标：项目技术指标试验方法高位发热量，MJ/m3＞31.4GB/T11062总硫（以硫计），mg/m3≤200GB/T11061硫化氢，mg/m3≤15GB/T11060.

生产工艺介绍◼1.1SMT生产流程介绍◼1.2DIP生产流程介绍◼1.3PCB设计工艺简析“SMT”表面安装技术(SurfaceMountingTechnology)(简称SMT)它是将电子元器件直接安装在印制电路板的表面，它的主要特征是元器件是无引线或短引线，元器件主体与焊点均处在印制电路板的同一侧面。1.1表面安装的工艺流程1.1.1表面安装组件的类型:表面安装组件(SurfaceMountingAssembly)(简称：SMA)类型：全表面安装(Ⅰ型)双面混装(Ⅱ型)单面混装(Ⅲ型)a.全表面安装(Ⅰ型)：全部采用表面安装元器件，安装的印制电路板是单面或双面板.表面安装示意图b.双面混装(Ⅱ型)：表面安装元器件和有引线元器件混合使用，印制电路板是双面板。双面混装示意图c.单面混装(Ⅲ型)：表面安装元器件和有引线元器件混合使用，与Ⅱ型不同的是印制电路板是单面板。单面混装示意图1.1.2工艺流程由于SMA有单面安装和双面安装；元器件有全部表面安装及表面安装与通孔插装的混合安装；焊接方式可以是回流焊、波峰焊、或两种方法混合使用；通孔插装方式可以是手工插，或机械自动插……；从而演变为多种工艺流程，目前采用的方式有几十种之多，下面仅介绍通常采用的几种形式。a.单面全表面安装单面安装流程b．双面全表面安装双面安装流程c.单面混合安装单面混合安装流程d、双面混合安装双面混合安装流程1.1.3锡膏印刷◼锡膏印刷工艺环节是整个SMT流程的重要工序，这一关的质量不过关，就会造成后面工序的大量不良。因此，抓好印刷质量管理是做好SMT加工、保证品质的关键。锡膏印刷工艺的控制包括几个方面：◼锡膏的选择◼锡膏的储存◼锡膏的使用和回收◼钢网开口设计◼印刷注意事项◼线路板的储存和使用等下面就来具体的谈一下这些工序如何进行有效的管控。1、锡膏的选择：◼锡膏的成份包含﹕金属粉末﹑溶济﹑助焊剂﹑抗垂流剂﹑活性剂﹔按重量分﹐金属粉末占85-92%﹐按体积分金属粉末占50%﹔锡膏中锡粉颗粒与Flux(助焊剂)的体积之比约为1:1,重量之比约为9:1;助焊剂在焊接中的主要作用是去除氧化物﹑破坏融锡表面张力﹑防止再度氧化。◼锡膏分为有铅锡膏和无铅锡膏两种a、有铅锡膏:有铅锡膏中的主要金属粉末为锡和铅：的有传统的63Sn/37Pb（即锡膏含量中锡占63%，铅占37%）,和62Sn/36.5Pb/0.5Ag(

FPC工艺制程流程介绍目录◆FPC的工艺流程◆FPC的工序介绍一.FPC的生产流程FPC的生产工艺流程主要包括：--单面板的生产工艺流程（RTR化生产）--双面板的生产工艺流程（片材生产）--双面板的生产工艺流程（RTR化生产）--多层板的生产工艺流程--软硬结合板的生产流程一.FPC的生产流程普通单面板（RTR化生产）补强RTR假贴电测SMT开料RTR光致冲裁FQC/FQA快压RTR靶冲FQC/FQA功能测试RTR蚀刻表面处理冲裁2补强快压计划投料包装一.FPC的生产流程普通双面板（片材生产）叠层光致表面处理冲裁开料钻孔文字冲裁2蚀刻VCP镀铜电测SMT黑孔补强快压FQC/FQA快压计划投料装配靶冲补强功能测试FQC/FQA包装一.FPC的生产流程普通双面板（RTR化生产）叠层STR光致表面处理冲裁开料钻孔文字冲裁2RTS蚀刻VCP镀铜电测SMT黑孔补强快压FQC/FQA快压计划投料装配靶冲补强功能测试FQC/FQA包装一.FPC的生产流程普通多层板（内层RTR化生产）假贴RTR快压开料RTR光致裁板RTR贴膜RTR蚀刻层压计划投料假贴裁板开料RTR光致快压RTR贴膜RTR蚀刻层压计划投料一.FPC的生产流程普通多层板（外层生产）光致沉铜文字FQC/FQA测量涨缩钻孔电测装配镀铜除胶冲裁冲裁2等离子表面处理SMT蚀刻层压功能测试油墨/CV靶冲FQC/FQA包装FPC流程工序—开料整卷材料剪成单片开料：将卷料裁成需要尺寸的片材或者将大片材裁成小片材二.FPC的生产工序简介开料1-1RTR开料RTS开料STS开料1-21-3FPC流程工序—机械钻孔局部放大钻咀/钻头已钻OK的产品钻孔：①双面板以及多层板通孔的加工②辅料工具孔的加工③工装治具的加工二.FPC的生产工序简介FPC流程工序—CO2激光机钻孔二.FPC的生产工序简介CO2LASER原理：利用红外线的热能，当温度升高或能量增加到一定程度后，如有机物的熔点、燃点或沸点时，则有机物分子的相互作用力或束缚力将大为减小到使有机物分子相互脱离成自由态或游离态，由于激光的不断提供能量，而使有机分子逸出或者与空气中的氧气燃烧而成为二氧化碳或水气体而散离去，由于激光是以一定直径的红外光束来加工的，因而形成微小孔。生产工艺能力：1.通孔能力:——2.盲孔能力:70um3.加工效率:1500holes/minFPC流程工序—日立U

HDPE双壁波纹管生产工艺流程介绍•一、产品概述•二、PE双壁波纹管的原料及配比•三、工艺流程•四、工艺控制•五、产品质量控制•六、常见产品缺陷的原因分析一、产品概述1、高密度聚乙烯(HDPE)双壁波纹管，简称PE波纹管，是以HDPE树脂为主要原料、采用挤出成型工艺制成的一种内壁光滑平整、外壁为梯形（方波）或弧形（圆波）波纹状、内外壁波纹间为中空的的新型塑料管材，属聚烯烃类结构壁管材，主要用于埋地排水排污领域。2.PE双壁波纹管的优点：1、抗外压能力强：外壁呈环形波纹状结构，大大增强了管材的环刚度，从而增强了管道对土壤负荷的抵抗力，在这个性能方面，HDPE双壁波纹管与其他管材相比较具有明显的优势。2、工程造价低：在等负荷的条件下，HDPE双壁波纹管只需要较薄的管壁就可以满足要求。因此，与同材质规格的实壁相管比，能节约一半左右的原材料，所以HDPE双壁波纹管造价也较低。这是该管材的又一个很突出的特点。3、施工方便：由于HDPE双壁波纹管重量轻，搬运和连接都很方便，所以施工快捷、维护工作简单。在工期紧和施工条件差的情况况下，其优势更加明显。4、摩阻系数小，流量大：采用HDPE为材料的HDPE双壁波纹管比相口径的其他管材可通过更大的流量。换言之，相同的流量要求下，可采用口径相对较小的HDPE双壁波纹管。5、良好的耐低温，抗冲击性能：HDPE双壁波纹管的脆化温度是-70℃。一般低温条件下(-30℃以上)施工时不必采取特殊保护措施，冬季施工方便，而且，HDPE双壁波纹管有良好的抗冲击性。6、化学稳定性佳：由于HDPE分子没有极性，所以化学稳定性极好。除少数的强氧化剂外，大多数化学介质对其不起破坏作用。一般使用环境的土壤、电力、酸碱因素都不会使该管道破坏，不滋生细菌，不结垢，其流通面积不会随运行时间增加而减少。7、使用寿命长：在不受阳光紫外线条件下，HDPE的双壁波纹管的使用年限可达50年以上。8、优异的耐磨性能：德国曾用试验证明，HDPE的耐磨性甚至比钢管还要高几倍。9、适当的挠曲度：一定长度的HDPE双壁波纹管轴向可略为挠曲，不受地面一定程度的不均匀沉降的影响，可以不用管件就直接铺在略为不直的沟槽内等等。3.PE双壁波纹管的应用领域：1范围•本部分适用于长期温度不超过45℃的埋地排水和通讯套管，亦可用于工业排水、排污管。①市政工程，用于建筑物的地下排水管、排污管、输水管、通

Allrightreserved©ShanghaiImart360Allrightreserved©ShanghaiImart360IntroductionofICAssemblyProcessIC封装工艺简介艾Allrightreserved©ShanghaiImart360ICProcessFlowCustomer客户ICDesignIC设计WaferFab晶圆制造WaferProbe晶圆测试Assembly&TestIC封装测试SMTIC组装Allrightreserved©ShanghaiImart360ICPackage（IC的封装形式）Package--封装体：➢指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC）形成的不同外形的封装体。➢ICPackage种类很多，可以按以下标准分类：•按封装材料划分为：金属封装、陶瓷封装、塑料封装•按照和PCB板连接方式分为：PTH封装和SMT封装•按照封装外型可分为：SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；Allrightreserved©ShanghaiImart360ICPackage（IC的封装形式）•按封装材料划分为：金属封装陶瓷封装塑料封装金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品；陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产品，占少量商业化市场；塑料封装用于消费电子，因为其成本低，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分的市场份额；Allrightreserved©ShanghaiImart360ICPackage（IC的封装形式）•按与PCB板的连接方式划分为：PTHSMTPTH-PinThroughHole,通孔式；SMT-SurfaceMountTechnology，表面贴装式。目前市面上大部分IC均采为SMT式的SMTAllrightreserved©ShanghaiImart360ICPackage（IC的封装形式）•按封装外型可分为：SOT、QFN、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；•决定封装形式的两个关键因素:➢封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1；➢引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加；其中，CSP由于采用了FlipChip技术和裸片封装，达到了芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术；封装形式和工艺逐步高级和复杂Allright

LED的生产工艺流程及设备（一）黄健全2007.3主要内容◼LED生产工艺流程；◼LED衬底材料制作；◼LED外延制作；Led生产工艺流程1、所用硅衬底在放入反应室前进行清洗。先用H2SO4∶H2O2(3∶1)溶液煮10min左右,再用2%HF溶液腐蚀5min左右,接着用去离子水清洗,然后用N2吹干。2、衬底进入反应室后在H2气氛中于高温进行处理,以去除硅衬底表面氧化物。3、然后温度降至800℃左右,生长厚约100埃的AlN缓冲层。4、接着把温度升至1050℃生长200nm偏离化学计量比(富镓生长条件)的GaN高温缓冲层。5、再生长0.4μm厚未掺杂的GaN。6、接着生长2μm厚掺Si的n型GaN,接下来在740℃生长5个周期的InGaN多量子阱有源层。7、以及在990℃生长200nm的p型GaN。Led生产工艺流程8、生长结束后，样品置于N2中于760℃进行退火,9、然后再对样品进行光刻和ICP刻蚀。Ni/Au和Ti/Al/Ni/Au分别用作p型GaN和n型GaN的欧姆接触电极。LED生产工艺流程LED透明电极LED生产工艺流程蓝宝石衬底LED（正装、倒装）LED生产工艺流程蓝宝石衬底紫外LEDLED生产工艺流程蓝宝石衬底白光LEDLED生产工艺流程多晶硅衬底制作芯片制作外延生长LED所举例子只是一种LED制作工艺，不同的厂家都有自己独到的一套制作工艺，各厂家所使用的设备都可能不一样，各道工序的作业方式、化学配方等也不一样，甚至不同的厂家其各道制作工序都有可能是互相颠倒的。但是万变不离其宗，其主要的思想都是一样的：外延片的生长（PN结的形成）---电极的制作（有金电极，铝电极，并形成欧姆接触）---封装。LED衬底材料制作◼硅的纯化◼长晶◼切片◼晶边磨圆◼晶面研磨◼晶片蚀刻◼退火◼晶片抛光◼晶片清洗◼检验/包装LED衬底材料制作--硅的纯化硅石(Silica)焦炭、煤及木屑等原料混合置于石墨沉浸的加热还原炉中，并用1500-2000℃的高温加热，将氧化硅还原成硅，此时硅的纯度约为98％左右，在纯度上达不到芯片制作的要求，要进一步纯化：1）盐酸化：将冶金级的多晶硅置于沸腾的反应器中，通往盐酸气以形成三氯化硅；2）蒸馏：将上一步的低沸点产物（TCS）置于蒸馏塔中，将其他不纯物用部分蒸馏去除。3）分解：将已蒸馏纯化的TCS置于化学气相沉淀（CVD）反应炉中，与氢气还原反

1.2LED芯片制造的工艺流程LED芯片制造的工艺流程属LED上游产业靠设备引言⚫LED是二极管，是半导体。⚫本节讨论的LED的制造=LED的芯片制造。⚫LED的制造工艺和其它半导体器件的制造工艺有很多相同之处。⚫除个别设备外，多数半导体设备经过改进可以用于LED的制造。引言LED芯片制造工艺分三大部分⚫外延片——按1.1节的LED芯片的结构：选衬底，MOCVD在衬底上制作外延层（也叫镀膜），n区，发光区，p区，透明导电层。⚫电极——对LED外延片做电极（P极，N极）。⚫芯片——用激光机切割LED外延片。内容⚫一、LED芯片制造设备⚫二、LED芯片衬底材料的选用⚫三、LED外延片的制作⚫四、LED对外延片的技术要求⚫五、LED芯片电极P极和N极的制作⚫六、LED外延片的切割成芯片1、LED芯片制造用设备⚫外延片的制备：⚫MOCVD：是制作LED芯片的最重要技术。⚫MOCVD外延炉：是制造LED最重要的设备。一台外延炉要100多万美元，投资最大的环节。⚫电极制作设备：光刻机、刻蚀机、离子注入机等。⚫衬底加工设备：减薄机、划片机、检测设备等。一、LED芯片制造设备2、MOCVD设备⚫MOCVD——金属有机物化学气相淀积（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition）一、LED芯片制造设备3、光刻机一、LED芯片制造设备3、光刻机一、LED芯片制造设备4、刻蚀机一、LED芯片制造设备5、离子注入机一、LED芯片制造设备6、清洗机一、LED芯片制造设备7、划片机一、LED芯片制造设备7、划片机一、LED芯片制造设备同一功能有不同型号设备选择8、芯片分选机一、LED芯片制造设备9、LED芯片的制造⚫从以上的的仪器设备可以看出，LED芯片的制造依靠大量的设备，而且有些设备价格昂贵。⚫LED芯片质量依赖于这些设备和操作这些设备的人员。⚫设备本身的制造也是LED生产的上游产业，一定程度上反映国家的光电子的发展水平。一、LED芯片制造设备二、LED芯片衬底材料的选用⚫LED芯片首要考虑的问题：衬底材料的选用。⚫选择衬底依据：根据设备和LED器件的要求进行选择。二、LED芯片衬底材料的选用三种衬底材料目前市面上一般有三种材料可作为衬底⚫蓝宝石（Al2O3）⚫硅(Si)⚫碳化硅（SiC）除了以上三种常用的衬底材料之外，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。下面分

LCM生产流程介绍华森科技郭斌1LCD(LiquidCrystalDisplay)液晶显示屏2LCM(LiquidCrystaldisplayMoudle)液晶显示块3COG(ChipOnGlass)直接连接4COB(ChipOnBoard)板载芯片5TAB(TapeAutomatedBonding胶带自动贴6SMT(SurfaceMountedTechnology)表面贴装技术7IC(Integratedinti^reitidCircuit)集成电路8ACF(AnisotropicConductedFilm)各向异性导胶9FFC/FPC(flexible)软性印刷电接器名词解释LCD分类反射方式TN、HTN、STN的结构FSTN、的结构ColorSTN的结构STN显示原理◼目前液晶顯示技術大多以TN、STN、TFT三種技術為主軸，因此我們就這從這三種技術來探討它們的運作原理。TN型的液晶顯示技術可說是液晶顯示器中最基本的，而之後其他種類的液晶顯示器也可說是以TN型為原點來加以改良。同樣的，它的運作原理也較其他技術來的簡單，請讀者參照下方的圖片。圖中所表示的是TN型液晶顯示器的簡易構造圖，包括了垂直方向與水平方向的偏光板，具有細紋溝槽的配向膜，液晶材料以及導電的玻璃基板。其顯像原理是將液晶材料置於兩片貼附光軸垂直偏光板之透明導電玻璃間，液晶分子會依配向膜的細溝槽方向依序旋轉排列，如果電場未形成，光線會順利的從偏光板射入，依液晶分子旋轉其行進方向，然後從另一邊射出。如果在兩片導電玻璃通電之後，兩片玻璃間會造成電場，進而影響其間液晶分子的排列，使其分子棒進行扭轉，光線便無法穿透，進而遮住光源。這樣所得到光暗對比的現象，叫做扭轉式向列場效應，簡稱TNFE（twistednematicfieldeffect）。◼在電子產品中所用的液晶顯示器，幾乎都是用扭轉式向列場效應原理所製成。STN型的顯示原理也似類似，如下圖，不同的是TN扭轉式向列場效應的液晶分子是將入射光旋轉90度，而STN超扭轉式向列場效應是將入射光旋轉180~270度。要在這邊說明的是，單純的TN液晶顯示器本身只有明暗兩種情形（或稱黑白），並沒有辦法做到色彩的變化。而STN液晶顯示器牽涉液晶材料的關係，以及光線的干涉現象，因此顯示的色調都以淡綠色與橘色為主。但如果在傳統單色STN液晶顯示器加上一彩色濾光片（col

LED工艺简介▪讲师：LED白光LED的前程LED芯片的实物照片LED发光管是怎样练成的衬底材料生长或购买衬底LED结构MOCVD生长芯片加工芯片切割器件封装Sapphire蓝宝石2-inch衬底片氮化物LED发光管的器件结构及发光机理electrons电子空穴复合发光P欧姆接触N欧姆接触蓝宝石或碳化硅MOCVD外延蓝宝石缓冲层N-GaNp-GaNMQWMOCVD机台第一步清洗有机物金属离子第二步n区光刻爆光机刻蚀Cl2+Bcl3+ArPlasmalabSystem133去胶3#液p电极蒸发蒸发机台P电极光刻P电极腐蚀KI+I2去胶丙酮+酒精P电极合金O2合金炉N电极光刻N电极蒸发N剥离N退火N2P压焊点光刻P压焊点蒸发P压焊点剥离钝化层沉积气体，功率PECVD机台钝化层光刻钝化层刻蚀钝化层去胶丙酮中道终测检验减薄划片裂片扩膜▪划片,裂片工作流程图划片前晶片背面划片后背面划片后,侧视图裂片后,侧视图扩膜后,正视图测试分检测试机LED:What’sinside?electrodessemiconductorchipepoxydomebondwires“silvercup”reflectorDesignGrowthProcessingPackagingCharacterizationApackagedLEDDifferentpartsofanLEDProcessflow:交通灯全彩显示RadiometryPhotometryPowerWatt(W)lumen(lm)PowerperunitareaW/m2lm/m2=lux(lx)PowerperunitsolidangleW/srlm/sr=candela(cd)Photometryisjustlikeradiometryexceptthateverythingisweightedbythespectralresponseoftheeye光学知识Solidangle:sr=2(1-cos(θ/2))立体角:如何理解光通量(Lumen)和发光强度(Mcd)470nmLED:3000mcd(20mA)P*62.139(lm)/Sr(15Deg)=3cdP*62.139/0.0537=3cdP=0.00259W=2.58mW市场上:谢谢大家！

LED制造工艺流程工艺过程例如GaAs、Al2O3、Si、SiC等制造衬底封状成成品制造芯片40000个制造发光二极管外延片例如MOCVD一片2直径英寸的外延片可以加工20000多个LED芯片硅(Si)氮化镓(GaN)50毫米200微米=0.2毫米上游产业：材料的外延与生长中游产业：芯片制造下游产业：器件封装与应用技术路线衬底制备外延材料生长外延片检测N面工艺薄膜转移P面工艺芯片点测划片芯片分选衬底制备直拉法主要包括以下几个过程：加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长切片磨片抛光清洗:2h光刻:刻蚀:1h一炉(8片)光刻是一个整体概念，它包括以下几个过程(以正胶为例)：(1)涂光刻胶；(2)前烘；(3)曝光(使用光刻版掩膜)；(4)显影；(5)坚膜；(6)腐蚀；(7)去胶涂粘结剂，正胶并前烘曝光曝光后显影并坚膜腐蚀去胶等离子去胶机正胶:腐蚀，去除被照的部分负胶:剥离，去除被挡住的部分，后烘刻蚀RIE和ICP⚫以CF4刻蚀SiO2为例说明刻蚀包括化学过程和物理过程，化学过程是指反应气体与被刻蚀物质的化学反应，物理过程是指离子在电场作用下对被刻蚀物质的物理轰击e*+CF4→CF3+F+e4F+SiO2(s)→SiF4(g)+2ORIE(ReactiveIonEtching)反应离子刻蚀ICP(InducedCoupledPlasma)电感耦合等离子体外延材料生长⚫MOCVD记编号放片子反应原理、反应方程式NH3H2TMGbubblerReactorchamber(CH)Ga+NH-->GaN+3CH3334SubstrateSusceptorNH3TMG氨气NH3氢气H2三甲基镓源TMG反应管衬底石墨支撑盘Ga(CH3)3(v)+NH3(v)一GaN(s)+3CH4(v)外延层结构外延层主要结构：缓冲层、N型导电层、量子阱发光层、P型导电层氮化铝(AlN)缓冲层氮化镓(GaN)缓冲层5×InGaN/GaN多量子阱Si(111)衬底N型导电GaN掺Si层P型导电GaN掺Mg层430um3~4um2nm=0.002um8nm=0.008um200nmSiliconSubstrate外延片检测⚫PL机半峰宽主波长⚫台阶仪⚫清洗，去除有机物等BOE外延片P面工艺⚫反射欧姆电极蒸镀Cr/Pt73产品(Ag)Cr不与Ag形成欧姆接触，绝缘。Cr易氧化，粘附力差，Pt保护

N阱CMOS工艺①初始材料◼CMOS集成电路通常制造在尽可能重掺杂硼的P型（100）衬底上以减小衬底电阻,防止闩锁效应。②外延生长◼CMOS工艺的第一步是在衬底上生长一层轻掺杂的P型外延层，比标准双极工艺采用的外延层薄很多。理论上CMOS工艺不需要外延层，因为MOS管可以直接在P型衬底上形成。外延工艺增加了成本，但是采用P+衬底可以提高抗闩锁效应的能力。③N阱扩散◼使用N阱掩模版对甩在氧化层上的光刻胶进行光刻。③N阱注入光刻1，刻N阱掩膜版氧化层P-SUB曝光光刻1，刻N阱掩膜版光刻胶掩膜版氧化层的刻蚀光刻1，刻N阱掩膜版N阱注入光刻1，刻N阱掩膜版形成N阱N阱P-SUB④场区LOCOS（局部氧化）◼基本CMOS工艺采用LOCOS技术选择性地生长厚氧化层，只在形成源器件的区域留下薄的缓冲氧化层。芯片上的局部氧化区域称为场区，而被保护未形成氧化层的区域称为有源区。LOCOS工艺首先在整个晶圆上淀积一层氮化硅，然后用反型槽掩模版光刻氮化硅，最后采用选择性可是除去场区上的氮化层。氮化硅的刻蚀光刻2，刻有源区掩膜版二氧化硅掩膜版沟道终止注入◼P型外延场区接受P型的沟道终止注入，而N阱场区接受N型沟道终止注入，这里包含大面积硼注入和选择性磷注入场氧的生长光刻2，刻有源区掩膜版二氧化硅氮化硅掩膜版去除氮化硅光刻3，刻多晶硅掩膜版FOX⑤阈值调整◼目的为了让PMOS和NMOS管拥有相同的阈值电压绝对值。◼可以先注入P型杂质（B），再N型杂质（P），因为B的扩散系数小；也可以只注入P型杂质（B）进行调节。采用一步调节方法重新生长二氧化硅（栅氧）光刻3，刻多晶硅掩膜版栅氧场氧⑥多晶硅淀积和光刻光刻3，刻多晶硅掩膜版多晶硅刻蚀多晶硅光刻3，刻多晶硅掩膜版掩膜版⑦源/漏注入◼现在完成的多晶硅栅可作为NMOS管和PMOS管的源/漏自对准注入的掩模版。在下图中，先进行N型的源/漏注入（NSD），采用As杂质；然后进行P型源/漏注入（PSD），采用B。◼由于As的扩散系数小。所以先NSDP+离子注入光刻4，刻P+离子注入掩膜版掩膜版P+N+离子注入光刻5，刻N+离子注入掩膜版N+⑧接触、金属化及保护层◼接触孔硅化后，在晶圆上先溅射一层难溶金属薄膜，然后淀积较厚的掺铜铝层。然后就是在最后一层金属上淀积保护层。生长磷硅玻璃PSGPSG光刻接触孔光刻6，刻接触孔掩膜版P+N+刻铝光刻7，刻Al掩膜版

课程名称:PCB工艺流程简介制作单位:工艺部核准日期:2012/9版本:A1双面板工艺全流程图沉金外层蚀刻阻焊外型喷锡丝印字符电测最终检查（FQC）OSP最终抽检（FQA）包装入库开料沉铜（PTH)钻孔全板电镀电镀铜锡外层线路☺流程介紹裁切刨边烤板开料目的:➢依制前设计所规划要求，将基板材料裁切成工作所需尺寸。主要原物料:基板、锯片➢基板由铜皮和绝缘层压合而成，依要求有不同板厚规格，依铜厚可分为H/Hoz、1/1oz、2/2oz等种类。注意事项:➢避免板边毛刺影响品质，裁切后进行磨边、圆角处理。➢考虑涨缩影响，裁切板送下制程前进行烘烤。➢裁切须注意机械方向一致的原则。流程介绍:目的:在板面上钻出层与层之间线路连接的导通孔上PIN钻孔下PIN钻孔上PIN:目的:➢对于非单片钻之板，预先按STACK之要求钉在一起，便于钻孔，依板厚和工艺要求每个STACK可两片钻，三片钻或多片钻。主要原物料:PIN针主要设备：上PIN机注意事项:➢上PIN时需开防呆检查，避免因前制程混料造成钻孔报废。钻孔钻孔:目的:➢在板面上钻出层与层之间线路连接的导通孔➢主要设备：SCHMOLL钻机/HITACHI钻机➢主要原物料:钻头、盖板、垫板➢钻头:碳化钨、钴及有机黏着剂组合而成。➢盖板:主要为铝片，在制程中起钻头定位、散热、减少毛头、防压力脚压伤作用。➢垫板:主要为复合板，在制程中起保护钻机台面；防出口性毛头；降低钻针温度及清洁钻针沟槽胶渣作用。钻孔钻孔示意图：铝盖板垫板钻头钻孔下PIN:目的:➢将钻好孔之板上的PIN针下掉，将板子分出。钻孔除胶渣/化学沉铜/全板电镀☺流程介紹去毛刺(Deburr)除胶渣(Desmear)化学沉铜(PTH)全板电镀Panelplating☺目的:使孔璧上的非导体部分之树脂及玻璃纤维进行金属化。方便进行后面之电镀铜制程,完成足够导电及焊接之金属孔璧。☺去毛刺(Deburr):毛刺形成原因：钻孔后孔边缘的未切断的铜丝及未切断的玻璃布Deburr之目的：去除孔边缘的披锋，防止镀孔不良。重要的原物料：刷轮除胶渣/化学沉铜/全板电镀☺除胶渣(Desmear):smear形成原因：鑽孔時造成的高溫超過玻璃化轉移溫度(Tg值)，而形成融熔狀，產生膠渣。Desmear之目的：裸露出各層需互連的銅環，另膨松劑可改善孔壁結構，增強電鍍銅附著力。重要的原物料：KM

课程名称:PCB工艺流程简介制作单位:工艺部制作者:范喜川/王志武/梁四连核准:王俊核准日期:2009/3/9版本:A景旺电子（深圳）有限公司2009-03-0911KinwongElectronic(Shenzhen)Co.,Ltd景旺电子（深圳）有限公司双面板工艺全流程图沉金外层蚀刻阻焊外型喷锡字符电测最终检查（FQC）OSP/沉银/沉锡最终抽检（FQA）最终检查（FQC）最终抽检（FQA）入库包装开料沉铜（PTH)钻孔全板电镀电镀铜锡(电镀镍金)外层线路2KinwongElectronic(Shenzhen)Co.,Ltd景旺电子（深圳）有限公司多层板工艺全流程图沉金外层蚀刻阻焊外型喷锡字符电测最终检查（FQC）OSP、沉银、沉锡最终抽检（FQA）最终检查（FQC）最终抽检（FQA）入库包装沉铜（PTH)钻孔全板电镀电镀铜锡(电镀镍金)外层线路开料内层蚀刻内层线路内层AOI压合棕化3KinwongElectronic(Shenzhen)Co.,Ltd景旺电子（深圳）有限公司PCB制造流程简介(PA0)PA0介绍(发料至PTH前)PA1(内层)：内层前处理；涂布；曝光；显影;蚀刻(连褪膜)PA9(内层检验):AOI检验;VRS确认;打靶PA2(压合):棕化;铆合/熔合;预叠；叠板;压合;后处理PA3(钻孔):上PIN;钻孔;下PIN4KinwongElectronic(Shenzhen)Co.,Ltd景旺电子（深圳）有限公司PA1(内层)介绍流程介绍:目的:利用影像转移原理制作内层线路前处理涂布曝光上工序蚀刻(连褪膜)显影内层AOI下工序打靶5KinwongElectronic(Shenzhen)Co.,Ltd景旺电子（深圳）有限公司PA1(内层)介绍前处理(PRETREATMENT):目的:➢去除铜表面上的污染物，增加铜面粗糙度,以利於后续的涂布制程主要原物料：刷轮(尼龙刷)铜箔绝缘层前处理后铜面状况示意图6KinwongElectronic(Shenzhen)Co.,Ltd景旺电子（深圳）有限公司PA1(内层)介绍涂布(S/MCOATING):目的:➢将经内层前处理后之基板铜面通过滚涂方式贴上一层感光油墨主要原物料:湿膜油墨涂布前涂布后7KinwongElectronic(Shenzhen)Co.,Ltd景旺电子（深圳）有限公司PA1(内层)介绍曝光(EX

PCB工艺流程培训部2004年0９月课程内容PCB工艺流程简介及工序目的PCB工艺流程介绍PCB工艺流程录象界料内层干菲林压板钻孔沉铜<孔金属化>外层蚀板绿油<湿菲林>镀金手指白字喷锡成型开/短路测试包装出货内层蚀板黑氧化图形电镀外层干菲林棕化表面处理一PCB工艺流程(简图)二制作流程1.界料:界料就是按照ME制作的工作指示,将大面积的原状始材料切割成生产所需的尺寸.2.局板:将板材放在局炉内烘烤,降低板内湿度,消除内应力3.内层3.1.内层干膜3.1.1.磨板:粗化铜板表面,以利于增加板面与药膜的结合力清洁板面,除掉板面杂物除去铜板表面的防氧化层干膜与铜箔的覆盖性油墨与铜箔的覆盖性3.1.2.贴膜:在板面上(铜皮上)贴上一层具有感光性能的膜基板干膜贴膜前贴膜后3.1.3.曝光:将黄菲林贴在板面的干膜上,然后用平行光曝光.这样有线路的地方,其干膜被曝光定型,无线路的地方未曝光3.1.4.显影:将未曝光定型的干膜冲走,留下来的是曝光定型的干膜,即是黄菲林上的线路图形3.2.内层蚀板3.2.1.蚀板:用蚀铜药水将未被干膜盖住的铜皮蚀掉,剩下的是被干膜盖住的铜,即内层线路图形3.2.2.褪膜:将板面上被曝光定型的干膜褪掉,将线路图形露出3.3.內层黑氧化：将铜层表面粗化，转成氧化铜以增加压板后的粘结力3.4.排板(LAY-UP):按MI要求排列内层板料和纤维布，将板料钉起来，保证各层对位准确3.5.压板：3.5.1.压板：用高温、高压将纤维布、铜箔（外层）和内层板料压成一整片3.5.2.局板、切割：减少压板时产生的内应力，并修正板边，因压板后板边有渗出的树脂，伸出的铜箔，板边非常粗糙不平，需修正板边。3.5.3.点定位孔3.5.4.锣定位孔铜皮根据钻孔加工类型，大致可分为以下两类：1.一次钻加工2.分步钻加工4.0.钻孔根据钻孔加工方式，大致可分为以下两种：一种是机械钻孔，另一种是激光钻孔主轴钻嘴盖板线路板底板台板销钉销钉盖板线路板底板台板销钉销钉主轴钻嘴主轴钻嘴盖板线路板底板台板销钉销钉5.0.沉铜5.1.浸钯:在孔壁粘上钯离子产生化学作用5.2.沉铜:以钯离子作媒介,使铜离子在孔壁上聚集成铜层附着在孔壁上(铜层厚度约为80U”)6.0.外层6.1.外层干膜6.1.1.贴膜:同内层贴膜一样,将感光膜覆在铜箔上6.1.2.曝光:将外层线路菲林贴在干膜上进行曝光,这样没有线

HDIManufacturingProcessFlowPre-engineeringPatternimagingEtchingLaminatingDrillingCuplatingHolepluggingPatternimagingLaminationLaserAblationMechanicaldrillingPatternimagingCuplatingSolderMaskSurfaceFinishedRoutingVisualinspectionElectrictestShippingPre-engineeringPatternimagingEtchingLaminatingDrillingDesmearCuplatingHolepluggingCuplatingBeltSandingLaminationLaserAblationMechanicaldrillingCuplatingPatternimagingSolderMaskGoldplatingRoutingElectricaltestPatternimagingHolecounterShippingVisualinspection1.內層基板(THINCORE)LaminateCopperFoil裁板(PanelSize)COPPERFOILEpoxyGlassPhotoResist2.內層線路製作(壓膜)(DryFilmResistCoat)EtchPhotoresist(D/F)PhotoResist3.內層線路製作(曝光)(Expose)A/WArtwork(底片)Artwork(底片)AfterExposeBeforeExpose4.內層線路製作(顯影)(Develop)PhotoResist5.內層線路製作(蝕刻)(Etch)PhotoResist6.內層線路製作(去膜)(StripResist)7.黑氧化(OxideCoating)8.疊板(Lay-up)LAYER2LAYER3LAYER4LAYER5LAYER1LAYER6Layer1Layer2Layer3Layer4CopperFoilCopperFoilInnerLayerPrepreg(膠片)Prepreg(膠片)9.壓合(Lamination)典型之多層板疊板及壓合結構...COPPERFOIL0.5OZThinCore,FR

PCB工艺流程------p10工业制版系统工艺一、设备名称：•STR-p10、工业制版系统工艺二、工艺流程简介：导图裁板去毛刺沉铜磨板贴膜线路板成型绿油一次烘干曝光绿油焊盘显影绿油二次烘干曝光显影蚀刻钻孔退膜磨板绿油一次印刷绿油二次印刷绿油烘干沉锡或OSP三、工艺操作细则及注意事项•1、裁板：•1.1概述•裁板又称下料，在PCB板制做前，应根据设计好的PCB图的大小来确定所需PCB板基的尺寸规格。•裁板的基本原理是利用上刀片受到的压力及上下刀片之间的狭小夹角，将夹在刀片之间的材料剪断。常用的剪板设备有两种，一种是手动剪板机，一种是脚踏剪板机。手动剪板机主要适合于裁剪一些面积较小的覆铜板（宽度不超过300mm，厚度不超过2mm），具有体积小，重量轻，操作方便的特点•1.2结构压杆后支点上刀片下刀片底板标尺•1.3、技术参数•1）产品用途：进行PCB覆铜板的快速裁剪；•2)裁剪材料：能适合0-1mm各种薄金属板材（铜、铝等），0-3mm各种软性板材(PVC、PP、覆铜板、复合板等)的快速裁剪；•3)设备采用杠杆原理，使得裁剪轻松省力；•4）最大裁板宽度：300mm，最大裁板长度：不限制；•5）最大裁板厚度：3mm；•6）刀具材料：采用进口钨钢高速刀具钢；•7）★带透明保护罩，保障安全操作；•8）★配置不锈钢刻度盘，具有垂直和纵向尺寸标尺精确裁板。1.4、操作要求向左移动定位尺，提起压杆，将待裁剪的覆铜板置于裁板机底板并靠近标尺，根据标尺刻度确定待裁剪尺寸，左手压板，右手将压杆压下，即可轻松的裁好板。1.5、注意事项1)在使用的时候注意将手远离刀片，以免伤到手2）保护好底板的垂直和纵向尺寸标尺，保证在裁板时的精确，同时保护好刀片。3）由于裁板机受力支点靠后端，在确定好覆铜板尺寸并固定好定位尺后，将覆铜板往后端移再裁剪可更省力。•二、导图•导图是制作PCB板前要先将所需要的PCB文件打印出来包括线路图层、焊盘图层,字符图层，以下是以Protel99SE软件为例的负片图纸打印的操作流程：•1.在Mechanical1层中绘制一个Fill，大小和PCB的大小相同。2.打开PCB文件新建一个PCBPrinter文件3.建立最终打印4.设置层属性5.在PrintOut中添加层，顺序如下KeepOutLayer(可选的）,MultiLayer,TopLayer或者BottomLay

PCB生产工艺流程第2页主要内容•1、PCB的角色•2、PCB的演变•3、PCB的分类•4、PCB流程介绍五彩缤纷的PCB工艺第3页1、PCB的角色PCB的角色：PCB是为完成第一层次的元件和其它电子电路零件接合提供的一个组装基地☆，组装成一个具特定功能的模块或产品。所以PCB在整个电子产品中，扮演了连接所有功能的角色，也因此电子产品的功能出现故障时，最先被怀疑往往就是PCB，又因为PCB的加工工艺相对复杂，所以PCB的生产控制尤为严格和重要。晶圓第0層次第1層次(Module)第2層次(Card)第3層次(Board)第4層次(Gate)PCB的解释：Printedcircuitboard；简写：PCB中文为：印制板☆（1）在绝缘基材上，按预定设计，制成印制线路、印制元件或由两者结合而成的导电图形，称为印制电路。（2）在绝缘基材上，提供元、器件之间电气连接的导电图形，称为印制线路。（3）印制电路或者印制线路的成品板称为印制电路板或者印制线路板，亦称印制板。第4页1.早於1903年Mr.AlbertHanson（阿尔伯特.汉森）首创利用“线路”(Circuit)观念应用于电话交换系统上。它是用金属箔切割成线路导体，将之粘于石蜡纸上，上面同样粘上一层石蜡纸，成了现今PCB的构造雏形。如下图：2.到1936年，DrPaulEisner（保罗.艾斯纳）真正发明了PCB的制作技术，也发表多项专利。而今天的加工工艺“图形转移技术（photoimagetransfer)，就是沿袭其发明而来的。图2、PCB的演变第5页PCB在材料、层数、制程上的多样化以适合不同的电子产品及其特殊需求。因此其种类划分比较多，以下就归纳一些通用的区别办法,来简单介绍PCB的分类以及它的制造工艺。A.以材料分a.有机材料酚醛树脂、玻璃纤维/环氧树脂、Polyimide、BT等皆属之。b.无机材料铝基板、铜基板、陶瓷基板等皆属之，主要取其散熱功能。B.以成品软硬区分a.硬板RigidPCBb.软板FlexiblePCB见图1.3c.软硬结合板Rigid-FlexPCB见图1.4C.以结构分a.单面板见图1.5b.双面板见图1.6c.多层板见图1.7☆3、PCB的分类第6页圖1.3圖1.4圖1.5圖1.6圖1.7圖1.8第7页4、PCB流程介绍我们以多层板的工艺流程作为PCB工艺介绍的引线，选择其中的图形

PCB板工艺流程介绍三洋电机DIC东莞事务所日期：2005.07.08PrintedCircuitBoard印刷电路板1/37三洋电机DIC东莞事务所2/37介绍内容说明：★PCB种类★PCB使用的材料★生产流程图★生产工艺介绍★多层板图示介绍一、PCB种类：PCB板按结构可分为三种：单面板、双面板、多层板；DSC使用的为多层基板,常用的有四层PCB板、1-4-1、2-4-2多层基板；成品板厚度一般为：0.6mm~0.8mm。1-4-1即：1为上表面和下表面一层铜箔、4为四层板组合的多层板。二、PCB使用的材料：1、PCB板使用的主要材料是覆铜板；2、曝光、显影使用的干膜及胶片；3、层压时使用的铜箔；4、层压时用来增强基板稳定性的环氧半固化片；5、各种药水；6、表层阻焊剂三洋电机DIC东莞事务所3/37三、生产工艺流程图：三洋电机DIC东莞事务所4/37(1)六层板内层制作流程覆铜板切割贴干膜内层曝光显影蚀刻去干膜AOI检查黑化/棕化处理叠板预叠板层压压合前处理内层线路形成清洗六层(1-4-1)PCB板制作流程：三、生产工艺流程图：三洋电机DIC东莞事务所5/37开定位孔清洗钻污化学镀铜电解镀铜清洗、干燥贴干膜曝光显影蚀刻去干膜清洗黑化/棕化处理二次层压钻内层通孔镀铜内层2、5层线路形成AOI检查叠板预叠板压合(2)内层2、5层制作流程三、生产工艺流程图：三洋电机DIC东莞事务所6/37(3)六层板外层制作流程激光钻孔钻外层通孔镀铜外层线路形成AOI检查清洗钻污化学镀铜电解镀铜清洗、干燥贴干膜曝光显影蚀刻去干膜清洗三洋电机DIC东莞事务所7/372、1-4-1（6层）PCB板制作流程：前处理电测检查铜面防氧化处理涂布阻焊剂丝印外形加工目视检查(4)外观及成型制作流程最终出荷检查印刷绿油干燥处理选择性镀镍镀金四、生产工艺介绍：以1-4-1六层线路板制作流程说明绿油接着剂(半固化片)内层线路铜面防氧化处理镀铜镀金导通孔盲孔覆铜板基材线路L1线路L2线路L3线路L4线路L5线路L6内层通孔1-4-1线路板断面图示三洋电机DIC东莞事务所8/37三洋电机DIC东莞事务所9/371、覆铜板切割（WorkSize）：A、覆铜板断面图示：铜箔基材B、基板在投料生产时，会按厂家设计好的图纸要求进行裁剪；不同厂家根据产品的不同，尺寸也有所变化；C、技术特点：设备自动切割、半自动切割D

PCB生产工艺流程第2页主要内容•1、PCB的角色•2、PCB的演变•3、PCB的分类•4、PCB流程介绍五彩缤纷的PCB工艺第3页1、PCB的角色PCB的角色：PCB是为完成第一层次的元件和其它电子电路零件接合提供的一个组装基地☆，组装成一个具特定功能的模块或产品。所以PCB在整个电子产品中，扮演了连接所有功能的角色，也因此电子产品的功能出现故障时，最先被怀疑往往就是PCB，又因为PCB的加工工艺相对复杂，所以PCB的生产控制尤为严格和重要。晶圓第0層次第1層次(Module)第2層次(Card)第3層次(Board)第4層次(Gate)PCB的解释：Printedcircuitboard；简写：PCB中文为：印制板☆（1）在绝缘基材上，按预定设计，制成印制线路、印制元件或由两者结合而成的导电图形，称为印制电路。（2）在绝缘基材上，提供元、器件之间电气连接的导电图形，称为印制线路。（3）印制电路或者印制线路的成品板称为印制电路板或者印制线路板，亦称印制板。第4页1.早於1903年Mr.AlbertHanson（阿尔伯特.汉森）首创利用“线路”(Circuit)观念应用于电话交换系统上。它是用金属箔切割成线路导体，将之粘于石蜡纸上，上面同样粘上一层石蜡纸，成了现今PCB的构造雏形。如下图：2.到1936年，DrPaulEisner（保罗.艾斯纳）真正发明了PCB的制作技术，也发表多项专利。而今天的加工工艺“图形转移技术（photoimagetransfer)，就是沿袭其发明而来的。图2、PCB的演变第5页PCB在材料、层数、制程上的多样化以适合不同的电子产品及其特殊需求。因此其种类划分比较多，以下就归纳一些通用的区别办法,来简单介绍PCB的分类以及它的制造工艺。A.以材料分a.有机材料酚醛树脂、玻璃纤维/环氧树脂、Polyimide、BT等皆属之。b.无机材料铝基板、铜基板、陶瓷基板等皆属之，主要取其散熱功能。B.以成品软硬区分a.硬板RigidPCBb.软板FlexiblePCB见图1.3c.软硬结合板Rigid-FlexPCB见图1.4C.以结构分a.单面板见图1.5b.双面板见图1.6c.多层板见图1.7☆3、PCB的分类第6页圖1.3圖1.4圖1.5圖1.6圖1.7圖1.8第7页4、PCB流程介绍我们以多层板的工艺流程作为PCB工艺介绍的引线，选择其中的图形