【文档说明】半导体制造工艺流程课件.pptx，共(105)页，2.155 MB，由精品优选上传

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半导体制造工艺流程半导体相关知识•本征材料：纯硅9-10个9250000Ω.cm•N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb•P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B•PN结：NP------+++++半导体元件制造过程可分为•前段（FrontEnd）制程晶圆处理制程（WaferFabricati

on；简称WaferFab）、晶圆针测制程（WaferProbe）；•後段（BackEnd）构装（Packaging）、测试制程（InitialTestandFinalTest）一、晶圆处理制程•晶圆处理制程之主要

工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需

控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子

植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。二、晶圆针测制程•经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是

也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒三、IC

构装制程•IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路•目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。半导体制造工艺分类PMOS型双极型MOS型C

MOS型NMOS型BiMOS饱和型非饱和型TTLI2LECL/CML半导体制造工艺分类•一双极型IC的基本制造工艺：•A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型

）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离I2L（饱和型）半导体制造工艺分类•二MOSIC的基本制造工艺：根据栅工艺分类•A铝栅工艺•B硅栅工艺•其他分类1、（根据沟道）PMOS、NMOS、CMOS2、

（根据负载元件）E/R、E/E、E/D半导体制造工艺分类•三Bi-CMOS工艺：A以CMOS工艺为基础P阱N阱B以双极型工艺为基础双极型集成电路和MOS集成电路优缺点双极型集成电路中等速度、驱动能力强、模拟精度高、功耗比较大CMOS集成电路低的静态功耗、宽的电源电压范

围、宽的输出电压幅度（无阈值损失），具有高速度、高密度潜力；可与TTL电路兼容。电流驱动能力低半导体制造环境要求•主要污染源：微尘颗粒、中金属离子、有机物残留物和钠离子等轻金属例子。•超净间：洁净等级主要

由微尘颗粒数/m30.1um0.2um0.3um0.5um5.0umI级357.531NA10级350753010NA100级NA750300100NA1000级NANANA10007半导体元件制造过程前段（FrontEnd）制程---前工序晶圆处理制程（WaferFab

rication；简称WaferFab）典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程一次氧化衬底制备隐埋层扩散外延淀积热氧化隔离光刻隔离扩散再氧化基区扩散再分布及氧化发射区光刻背面掺金发射区扩散反刻铝接触孔光刻铝

淀积隐埋层光刻基区光刻再分布及氧化铝合金淀积钝化层中测压焊块光刻横向晶体管刨面图CBENPPNPP+P+PP纵向晶体管刨面图CBENPCBENPN+p+NPNPNPNPN晶体管刨面图ALSiO2BPP+P-SUBN+ECN+-BLN-epiP+

1.衬底选择P型Siρ10Ω.cm111晶向,偏离2O~5O晶圆（晶片）晶圆（晶片）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解后，再利用硅晶种慢慢拉出

单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8寸硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、抛光、切片后，即成半导体之原料晶圆片第一次光刻—N+埋层扩散孔•1。减小集电极串联电阻•2。减小寄生PNP管的影响SiO2P-SUBN+-BL要求：1。杂质浓度大2。高温时在Si中的

扩散系数小，以减小上推3。与衬底晶格匹配好，以减小应力涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗—去膜--清洗—N+扩散(P)外延层淀积1。VPE（Vaporousphaseepitaxy)气相外延生长硅SiC

l4+H2→Si+HCl2。氧化Tepi>Xjc+Xmc+TBL-up+tepi-oxSiO2N+-BLP-SUBN-epiN+-BL第二次光刻—P+隔离扩散孔•在衬底上形成孤立的外延层岛,实现元件的隔离.SiO2N

+-BLP-SUBN-epiN+-BLN-epiP+P+P+涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗—去膜--清洗—P+扩散(B)第三次光刻—P型基区扩散孔决定NPN管的基区扩散位置范围SiO2N+-BLP-SUBN-epiN+-BLP+P+P+PP去S

iO2—氧化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗—去膜—清洗—基区扩散(B)第四次光刻—N+发射区扩散孔•集电极和N型电阻的接触孔,以及外延层的反偏孔。•Al—N-Si欧姆接触：ND≥1019cm-3，SiO2N+-BLP-SUBN-epiN+-BLP+P

+P+PPN+去SiO2—氧化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗—去膜—清洗—扩散第五次光刻—引线接触孔•SiO2N+N+-BLP-SUBN-epiN+-BLP+P+P+PPN-epi去SiO2—氧化

--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗—去膜—清洗第六次光刻—金属化内连线：反刻铝•SiO2ALN+N+-BLP-SUBN-epiN+-BLP+P+P+PPN-epi去SiO2—氧化--涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗—去膜—清

洗—蒸铝CMOS工艺集成电路CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例•1。光刻I---阱区光刻，刻出阱区注入孔N-SiN-SiSiO2CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例•2。阱区注入及推进

，形成阱区N-SiP-CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例•3。去除SiO2，长薄氧，长Si3N4N-SiP-Si3N4CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例•4。光II---有源区光刻N-SiP-Si3N4CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS

为例•5。光III---N管场区光刻，N管场区注入，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。光刻胶N-SiP-B+CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例•6。光III---N管场区光刻，刻出N

管场区注入孔；N管场区注入。N-SiP-CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例•7。光Ⅳ---p管场区光刻，p管场区注入，调节PMOS管的开启电压，生长多晶硅。N-SiP-B+CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CM

OS为例•8。光Ⅴ---多晶硅光刻，形成多晶硅栅及多晶硅电阻多晶硅N-SiP-CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例•9。光ⅤI---P+区光刻，P+区注入。形成PMOS管的源、漏区及P+保护环。N-SiP-B+CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例•10。光Ⅶ---N管

场区光刻，N管场区注入，形成NMOS的源、漏区及N+保护环。光刻胶N-SiP-AsCMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例•11。长PSG（磷硅玻璃）。PSGN-SiP+P-P+N+N+CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CM

OS为例•12。光刻Ⅷ---引线孔光刻。PSGN-SiP+P-P+N+N+CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例•13。光刻Ⅸ---引线孔光刻（反刻AL）。PSGN-SiP+P-P+N+N+VDDINOUTPNSDDS集成电路

中电阻1ALSiO2R+PP+P-SUBN+R-VCCN+-BLN-epiP+基区扩散电阻集成电路中电阻2SiO2RN+P+P-SUBRN+-BLN-epiP+发射区扩散电阻集成电路中电阻3基区沟道电阻SiO2RN+P+P-SUBRN+-BL

N-epiP+P集成电路中电阻4外延层电阻SiO2RP+P-SUBRN-epiP+PN+集成电路中电阻5MOS中多晶硅电阻SiO2Si多晶硅氧化层其它：MOS管电阻集成电路中电容1SiO2A-P+P-SUBB+N+-BLN+EP+NP+-IA-B+Cjs发射区扩散

层—隔离层—隐埋层扩散层PN电容集成电路中电容2MOS电容AlSiO2ALP+P-SUBN-epiP+N+N+微电子制造工艺IC常用术语圆片：硅片芯片(Chip,Die)：6、8：硅（园）片直径：1＝25.4

mm6150mm;8200mm;12300mm;亚微米<1m的设计规范深亚微米<=0.5m的设计规范0.5m、0.35m－设计规范（最小特征尺寸）布线层数：金属（掺杂多晶硅）连线的层数。集成度：每个芯片上集成的晶体管数IC工艺常用术语

净化级别：Class1,Class10,Class10,000每立方米空气中含灰尘的个数去离子水氧化扩散注入光刻…………….生产工厂简介PSIFabTwowascompletedJanuary2,1996andisa"StateoftheArt"facility.This2,200square

footfacilitywasconstructedusingallthelatestmaterialsandtechnologies.Inthissetofcleanroomswechangetheair390timesperhou

r,ifyoudothemathwithULPAfiltrationthisisaClassOnefacility.WehavehadittestedanditdoesmeetClassOneparameters(withouta

nypeopleworkinginit).Sincewearenotmakingmicroprocessorshereandwedon'twanttowear"spacesuits",werunitasaclass10fab.Eventhoughitconsistentlyrun

swellbelowClassTen.一级净化厂房HereintheFabTwoPhotolithographyareaweseeoneofour200mm.35micronI-LineSteppers.this

steppercanimageandalignboth6&8inchwafers.光刻区域亚微米级光刻机AnotherviewofoneoftheFabTwoPhotolithographyareas.Hereweseeatechnicianloading300mmwafersintotheS

emiTool.Thewafersareina13waferTefloncassetteco-designedbyProcessSpecialtiesandSemiToolin1995.Againthese

aretheworld'sfirst300mmwetprocesscassettes(thatcanbespinrinsedried).花篮AswelookinthiswindowweseetheWorld'sFirsttrue300mmproductionfurnace.Ourdevelop

mentanddesignofthistoolbeganin1992,itwasinstalledinDecemberof1995andbecamefullyoperationalinJanuaryof19

96.熔炉Herewecanseetheloadingof300mmwafersontothePaddle.ProcessSpecialtieshasdevelopedtheworld'sfirstproduction300

mmNitridesystem!Webeganprocessing300mmLPCVDSiliconNitrideinMayof1997.2,500additionalsquarefeetof"StateoftheArt"ClassOneCleanroomiscurr

entlyprocessingwafers!Withincreased300mm&200mmprocessingcapabilitiesincludingmorePVDMetalization,300mmWetprocessing

/Cleaningcapabilitiesandfullwafer300mm.35umPhotolithography,allinaClassOneenviroment.净化厂房CurrentlyourPS300Aa

ndPS300Bdiffusiontoolsarecapableofrunningboth200mm&300mmwafers.Wecanevenprocessthetwosizesinthesamefurnaceloadwithoutsufferinganyuniformity

problems!(ThermalOxideOnly)扩散AccuracyinmetrologyisneveranissueatProcessSpecialties.Weusethemostadvancedroboticlaserellipsometersandothercalibratedt

oolsforprecisionthinfilm,resistivity,CDandstepheightmeasurement.IncludingournewNanometrics8300fullwafer300mmthinfilmmeasurementandmappingtool.Weals

ouseoutsidelaboratoriesandourexcellentworkingrelationshipswithourMetrologytoolcustomers,foradditionalcorrelationandcal

ibration.光刻间OneoftwoSEMLabslocatedinourfacility.Inthisoneweareusingafieldemissiontoolforeverythingfromlookingatphotore

sistprofilesandmeasuringCD'stodoublecheckingmetaldepositionthicknesses.Atthehelm,anotheroneofourprocessengineersyoumayhavespokenwithMarkHink

le.检测HerewearelookingattheIncomingmaterialdispositionracks材料间Aboveyouarelookingatacoupleofviewsofthefacilitiesonthewe

stsideofFabOne.Hereyoucanseeoneofour18.5Meg/OhmDIwatersystemsandoneoffour10,000CFMairsystemsfeedingthisfab(leftpicture),aswellasoneofourwasteai

rscrubberunits(rightpicture).Bothareinsidethebuildingforeasiermaintenance,longerlifeandbettercontrol.

集成电路（IntegratedCircuit,IC）：半导体IC，膜IC，混合IC半导体IC：指用半导体工艺把电路中的有源器件、无源元件及互联布线等以相互不可分离的状态制作在半导体上，最后封装在一个管壳内，构成一个完整的、具有特定功能的电路。半导体IC双极ICMOSICBiCMOSPMOSIC

CMOSICNMOSICMOSIC及工艺MOSFET—MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor.—金属氧化物半导体场效应晶体管Si金属氧化物（绝缘层、SiO2）半导体MOS(MIS)结构P－衬底n+n+

漏源栅栅氧化层氧化层沟道GDSVTVGSIDVDS>0反型层沟道源（Source）S漏（Drain）D栅（Gate）G栅氧化层厚度：50埃－1000埃（5nm－100nm）VT－阈值电压电压控制N沟MOS（NMOS）•P型衬底，受主杂质；•栅上加正电压，表面吸引电

子，反型，电子通道；•漏加正电压，电子从源区经N沟道到达漏区，器件开通。N－衬底p+p+漏源栅栅氧化层场氧化层沟道P沟MOS（PMOS）GDSVTVGSID+-VDS<0•N型衬底，施主杂质，电子导电；•栅上加负电压，表面吸引空穴，反型，空穴通道；

•漏加负电压，空穴从源区经P沟道到达漏区，器件开通。CMOS•CMOS：ComplementarySymmetryMetalOxideSemiconductor互补对称金属氧化物半导体－特点：低功耗VSSVDDVoViCM

OS倒相器PMOSNMOSI/OI/OVDDVSSCCCMOS传输门N-SiP+P+n+n+P-阱DDVoVGVSSSSVDDCMOS倒相器截面图CMOS倒相器版图pwellactivepolyN+implan

tP+implantomicontactmetalANMOSExamplepwellPwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetalN－typeSiSiO2光刻胶光MASKPwellN－typeSiSiO2光刻胶光刻胶MASKPw

ellN－typeSiSiO2光刻胶光刻胶SiO2N－typeSiSiO2SiO2PwellpwellactivePwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetalN－typeSiSiO2PwellSiO2光刻胶MASK

activeMASKActiveSi3N4N－typeSiSiO2PwellSiO2光刻胶光刻胶MASKactiveMASKActiveSi3N4N－typeSiSiO2PwellSiO2光刻胶光刻胶Si3N4N－typeSiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧PwellSi3

N4N－typeSiSiO2Pwell场氧场氧场氧PwellN－typeSiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧PwellpolyactivepwellpolyPwellActivePolyN+implantP+implantOmico

ntactMetalN－typeSiSiO2PwellSiO2MASKpoly场氧场氧场氧Pwellpoly光刻胶N－typeSiSiO2PwellSiO2MASKpoly场氧场氧场氧Pwell光刻胶polyN－typeSi

SiO2PwellSiO2场氧场氧场氧PwellpolyN－typeSiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧PwellpolyactivepwellpolyN+implantPwellActivePolyN+implant

P+implantOmicontactMetalN－typeSiSiO2PwellSiO2MASKN+场氧场氧场氧Pwellpoly光刻胶N－typeSiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧Pwell光刻胶polyN+implantS/Dactivepw

ellpolyP+implantPwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetalN－typeSiSiO2PwellSiO2MASKN+场氧场氧场氧Pwellpoly光刻胶光S/D外延生长隔离层扩散基区扩散发射极扩散氧化接触孔金属层定型金

属层