【文档说明】第2章耦合途径和电缆的屏蔽.pptx，共(73)页，341.675 KB，由精品优选上传

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1干扰的耦合途径和电缆的屏蔽Couplingwayofdisturbanceandshieldofcable徐义亨2012年5月2电缆之所以重要是因为它不仅是控制系统中最长的部分，容易通过近场的耦合对控制系统产生干

扰；而且它还类似于一根拾取和辐射噪声的高效天线。本章我们将讨论与此有关的三种类型的耦合和电缆的三种屏蔽：1）电容性耦合和静电屏蔽。它起源于线路间电场的相互作用。2）电感性耦合和电磁屏蔽。它起源于线路间磁场的相互作用。3）

电磁场耦合和辐射屏蔽。它是电场和磁场相结合的混合作用的耦合。故也被称为电磁耦合或辐射耦合。31电容性耦合噪声和其抑制方法电压源负载简化为41.1耦合机理两导线间的电容性耦合如图所示。Cs为噪声导体（如电源线）和受感应导体

（如信号线）间的分布电容，CL为受感应导体的对地电容，RL为受感应导体的总电阻值，Z为CL和RL的并联阻抗。US为噪声电压，设Un为感应的噪声电压。噪声导体CS噪声电压US受感应导体CLRLUn并联阻抗Z5电容性耦合的等效电路可以作为噪声导体的包括：交流低压电源、视频、高频通信线等。噪声

导体CS噪声电压US受感应导体CLRLUn并联阻抗ZUsCsCLRLUn6利用Cs和Z之间的分压公式就可以求出在受感应导体和地之间产生的感应噪声电压Un为：当噪声电压的频率较低时，阻抗RL远小于CL和Cs的阻抗时，则为:感应的噪声电压U

n正比于噪声源的频率f、受感应导体的总电阻值RL、分布电容Cs以及噪声电压US。7当噪声电压的频率较高时，RL阻抗远大于CL和Cs的阻抗时，则为:因为CL远大于Cs，所以上式又可简化为8当RL阻抗远大于CL和Cs的阻抗时，感应的噪声电压正比于CS和C

L的比值，和噪声电压的频率无关。感应的噪声电压的频率特性如图所示。fUn91.2电容性耦合的抑制措施电容性耦合噪声的大小，正比于下列因素：1）噪声电压；2）噪声频率；3）两导体间的分布电容；4）受感应体的对地阻抗。上述的诸因素中，噪声电压、噪声频率、受感应

体的总电阻值往往是不可控的。所以抑制电容性耦合的最基本方法是减少与噪声导体间的分布电容。而减少两导体间的分布电容的最简单的方法就是加大与噪声导体之间的距离。101.3电容性耦合和距离的关系两根直径分别为d1和d2，间距为D的平行导线间,当D远

大于d1和d2时，其分布电容Cs为：Cs=2πε/ln(D/d1d2)(F/m)式中：ε——自由空间的介电常数，其值为8.85×10-12F/m。由此可见：1)减少两导体间的分布电容的最简单的方法是加大与噪声导体之间的距离D和减小线径d。2)在选择线径d时，不宜过大。11一个实例90m3

k2mm(10mm)2mm2.1V(0.32V)AC100V50Hz12所以，为什么在工业现场，不允许将信号线和交流电源线设在同一根电缆里，而且还需要将信号线和电源线以及高频信号线等保持一定的距离。但有

时候受条件限制，无法用加大与噪声导体之间的距离来减少两导体间的分布电容时，此时采用静电屏蔽的方法是十分有效的。131.4屏蔽对电容性耦合的影响噪声导体受感应导体分布电容CS噪声电压US屏蔽层对地电容CLCes14屏蔽层不接地时UsCsCL屏蔽层芯线Ces1

5当受感应导线的外层包了屏蔽层后，设屏蔽层的对地电容为CL,如果屏蔽层不接地，受感应导线的对地阻抗无限大，受感应导体和屏蔽层之间的分布电容Ces上没有电流，作用在屏蔽层上的感应噪声电压Un为由于静电感应。则受感应导体上接受到的噪声电压就是

屏蔽体上所感应的噪声电压。sLssnUCCCU+=16电缆的静电屏蔽如果屏蔽体接地，因为屏蔽层上的电压为零，所以受感应导体上的噪声电压也为零。由于受感应导线不可能全部封闭在屏蔽体内（包括导体两端外露和编织屏蔽层的空隙）,所以实际情况要复杂一些。为了获得良

好的电场屏蔽，需要做到：1）最大限度的减小中心导线延伸到屏蔽之外部分的长度（猪尾巴效应）；2）为屏蔽层提供一个良好的接地。17主动屏蔽和被动屏蔽这里,我们讨论的是受感应导体屏蔽的情况（被动屏蔽）。如果我们将噪声导体进行屏蔽并接地（主动

屏蔽）,同样可以起到抑制电场耦合的作用。所以在工业现场，无论是电源电缆，或者是信号电缆，都应采用屏蔽型电缆。主动屏蔽比被动屏蔽还重要。18采用屏蔽的效果要比拉开间距显著20mm20mm2个继电器电感50H内阻700欧AC110V1M欧500

欧Sd90m示波器19上图是一个比较屏蔽和拉开间距的效果的试验例子。干扰源是采用两个并联的继电器，当用开关S将通电的继电器线圈突然断开时，线圈所产生的反冲电压可达1000V以上。这种反冲电压波形的前沿具有很大的变化速率，由此在导线上所产生的电力线改变的速率也非常高。这是一个含有相当高频率成分

的噪声源。此外，接点间的火花放电也产生频谱很宽的噪声。由实验可知（实验数据见后表），用编织网进行屏蔽的话，感应出的噪声很小。若用增加两线间的距离d，还是能感应出几十伏的噪声电压。所以，静电屏蔽抑制电容性耦合噪声的效果一般要比拉开间距减小分布电容

的效果来得显著。20线间距离d(mm)感应的噪声电压没有屏蔽层的导线编织网屏蔽导线040V～90V0.25V～0.7V17012V～30V0.15V～0.6V5107V～20V0.05V～0.3V212电感性耦合噪声和其抑制方法2.1耦合机理从物理学可知，线圈

切割磁力线会感应出电动势。反之，线圈不动，周围的磁力线发生变化，也同样会在线圈两端感应出电动势。一根导线，当流过它的电流大小发生变化时，在其周围就会产生出变化的磁场。若在这个交变的磁场中有另一个电路回路，就会在回路中感应出电动势和感应电流。这两部分通过磁力线形成的耦合，其程度可用互感M来表示。

2223噪声源电压为Ui，Ui在导体Z1回路上产生的电流为I，则在Z2回路上产生的感应电压为：UN=jωMI或UN=Mdi/dt由式可见，电感性耦合的噪声大小正比于A.噪声源回路的电流I变化率di/dt；B.互感M。一般而言，噪声源回路的电流I变化率是不可控的，有效的方法是如何减小互感M

。减小互感M的方法有：A.拉开回路之间的耦合距离，包括回路之间的相对位置；B.尽可能减小噪声回路和感应回路的环路面积；此外，采用电磁屏蔽，包括双绞电缆和同轴电缆的使用。24一个实例例：某信号线与电压为220VAC、负荷为10kVA输电线的距离为1米，并平

行走线10米，两线之间的互感为4.2µH，则信号线上感应的干扰电压为UN=ωMI=2•3.14•50•0.0000042•10000/220=59.98mV当信号电压为（1～5）V的信号，这个干扰电压的大

小即相当于增加了1.5%的误差。252.2回路之间的相对位置与耦合程度的关系I5A10A15AUab40mV85mV130mV噪声回路感应回路26I5A10A15AUab100mV190mV280mV27一般而言：◼两个回路的平面相互垂直比平行其耦合要小。◼两个回路的环形

面积愈小愈好。282.3对作为噪声源的同轴电缆施行的电磁屏蔽图所示的导线AB流过电流时，便成为向外界发出磁通的噪声源。AB噪声源I负载29如果对导线AB增加屏蔽体，并按图连接。电流在流经负载后，全部通过导体的

屏蔽体返回到干扰源的地。由于流过屏蔽体上的电流也产生磁通，且与导体产生的磁通大小相等而方向相反，这样在屏蔽体的外面，不存在磁通，即导线AB被电磁屏蔽了。AB噪声源负载30如果将干扰源和负载都接地,当信号源和负载都接地时，由于流过屏蔽体的电流I2小于导

线AB内的电流I，所以I2所产生的抵消磁通也比原来的小。然而，屏蔽体有一个重要的特性参数，即截止频率ωc=Rs/Ls，其中Rs和Ls分别为屏蔽体的电阻和电感。31如果沿屏蔽体和接地环路A-B-C-D-A，可列出方程式：式中

M为屏蔽体与中心导体间的互感，其值为M=Φ/I2。而屏蔽体的自感Ls=Φ/I2,包围屏蔽体和中心导体的磁通是相同的，所以M=Ls代入上式整理得：32由式可知，当导体中流经的电流其频率远大于截止频率ωc=Rs/Ls时，绝大部分电流

流过屏蔽体，屏蔽效果很好。当频率低于5ωc时，大部分电流从地面返回，屏蔽作用较小（所以低频时，不宜两端接地）。大多数电缆的截止频率在数千赫到数十千赫之间。33问题：为什么要把屏蔽体做成园筒状？说明：同轴电缆之所以要将屏蔽层制作成园筒状是为了

降低Rs，增加Ls，从而降低截止频率ωc=Rs/Ls，增加可使用的频带宽度。342.4同轴电缆作为信号线路施行的电磁屏蔽(即外部已有一个交变的干扰磁场)a)b)c)d)信号源负载信号源负载信号源感应的干扰电流35几种情

况的对比:图a)是不加屏蔽，易受外界磁通的影响。图b)是加不接地的屏蔽，由于不能减小回路的包围面积，无电磁屏蔽的效果。图c)是加一端接地的屏蔽，也不能减小回路的包围面积。图d)是加屏蔽体两端接地，可以减小回路的包

围面积，有电磁屏蔽作用。当然这是有前提的，感应的干扰电流I（不是信号电流）的频率远大于导线的截止频率，否则，大部分返回电流也将从地面回路返回，也不能减小回路的包围面积。36我们常用屏蔽导线来防止外界磁通对导线的影响，其实这不是利用屏蔽体的磁屏蔽特性实现

屏蔽的，而是将非磁性屏蔽体包在导体周围，并让它成为流经导线返回电流的一个通路，起到使电流的回路所包围的面积最小，使接收外界磁通影响为最小。372.5双绞线的电磁屏蔽原理及其应用1）对作为噪声源的导线实施电磁屏蔽环内有磁通产生环外磁通基本被抵消382）对信

号线实施电磁屏蔽外磁通外磁通在导线上的感应相互抵消39双绞线的屏蔽效果随每单位长度的绞合数的增加而提高（见表）。表中的噪声衰减度系指平行导线时的干扰磁场值和采用双绞线后的干扰磁场值之比。但是，每单位长度的绞合数愈

大，耗资也大，从后面的表看，绞距为50mm左右就可以了。由于双绞线使用十分方便，价格较低，屏蔽效果也较好，所以，在工程中常用到它。如果双绞线再加金属编织网就可以克服双绞线易受静电感应的缺点，使其屏蔽效果更好。双绞线和屏蔽双绞线常用于频率

低于100kHz的屏蔽。40几种不同双绞线的效果比较试验条件噪声衰减度比例dB平行导线10双绞线（1绞/101.6mm)14：123双绞线（1绞/76.2mm)71：137双绞线（1绞/50.8mm)112：141双绞线（1绞/25.4mm)141：14

3金属导管内平行线22：127412.6同轴电缆和屏蔽双绞线的应用1）使用的频率范围双绞线和屏蔽双绞线因为有较大的电容，不适用于高频或高阻抗回路。非常适用频率低于100kHz的屏蔽。同轴电缆是一种特制的用金属编织网作屏蔽的电缆，在很大的范围内，具有均匀不变的低

损耗的特性阻抗，可用于从直流到甚高频乃之超高频的频段。422）低频时屏蔽双绞线和同轴电缆的接地方法均采用单端接地，以避免因地电位差造成的环流，影响屏蔽的效果。43只有在高频（大于1MHz)时才将屏蔽体两端接地。或者，一端接地，另一端通

过小电容再接地。这样，在低频时，电容有较大的阻抗，可认为是一端接地；高频时，电容阻抗变小，则成为两端接地。高频时，由于地电位差在电路中引起的噪声电压，其频率成分主要是工频信号及其谐波，容易被滤去。44屏蔽双绞线和同轴电缆一端屏接地和两端接地的噪

声衰减度比较如果在实际应用中如需要两端都接地时，应在线路中使用隔离变压器或光电隔离器，以切断对地回路。一端接地两端接地80dB27dB70dB13dB452.7电容性耦合与电感性耦合噪声的比较判断方法噪声变化情况电感性耦合电容性耦合如电缆屏蔽层单端接地，将接地端断开不变

变化46另外，◼高电压回路，容易成为电容性耦合的噪声源；◼大电流回路，容易成为电感性耦合的噪声源。◼电容性耦合噪声对受影响的电路是属于共模噪声；◼电感性耦合噪声对受影响的电路是属于串模噪声。472.8用于防雷的电缆的双层屏蔽当控制

系统遭雷击时，由于静电感应和雷电电磁脉冲的磁场强度非常强大，本章讨论的电缆的屏蔽方法还不足以抑制雷电波的生成。此时，应采用电缆的双层屏蔽:◼内层单端接地，抑制电容性耦合；◼外层两端或多端接地，抑制电感性耦合，噪声电流只能在外屏蔽层上

流动；◼两个屏蔽层的层与层之间是绝缘的。48外屏蔽层两端接地的屏蔽原理Ic外屏蔽层493电磁场耦合噪声和辐射屏蔽辐射耦合包括：◼电缆——电缆；◼电缆——机壳；◼机壳——机壳。503.1近场和远场（感应场和辐射场）辐射源附近称近场，距离大于λ/2π（λ为电磁波的波长）的地方称

远场，这是一种约定。波长和传播速度以及频率的关系如下式所示。λ=c/f式中：c--传播速度（3×108m/s）；f--频率（Hz）。51例如，10MHz的电磁干扰的远场界区约为5m左右，30MHz的电磁干扰的远场

界区约为3m左右，100MHz的电磁干扰的远场界区约为0.5m左右。如果30kHz,近场范围可达1.6公里。在近场中，噪声一般是通过前述的电容性耦合和电感性耦合的方式传播到控制系统中去的。在远场中，对控制系统的干扰是通过能量向四方的辐射方式进行的。523.2波阻抗由上述可知，在近场，干

扰的耦合主要是通过电场，或者通过磁场。而在远场，辐射的电磁场在空间的传播是由于电场和磁场的相互作用。例如，在一根导线上流过直流电流，则在导线周围会产生磁力线，而沿导线产生电力线（即电场的方向和磁场的方向是垂直的）。这样就产生了磁场和电场。当

电流发生变化，导线周围的磁场和电场也相应发生变化，这种变化在空间中的传播就是电磁波，它的传播速度等于光速。53最常见的辐射源如无线电广播、通信设备、对讲机、电焊机、晶闸管整流器等高频设备，在工作时会辐射功率很大的电磁波

。我们把电场强度E和磁场强度H的比值定义为波阻抗Z，即Z=E/H（欧）式中E——电场强度（伏/米）；H——磁场强度（安/米）。在远场中，电磁波十分规整，电场和磁场在强度上有固定的比例关系。54在远场时，波

阻抗Z=E/H是一个常数为120π，即377欧。所以用场强仪只要测出一个场的强度，另一个场强就可以计算出来。波阻抗Z和离干扰源距离r的关系如图所示。377欧远场LogrLogZ电场性高阻抗发生源磁场性低阻抗发生源近场

55对近场而言，波阻抗取决于干扰源的特性以及离干扰源的距离。如干扰源为大电流低电压的情况，则近场主要为磁场，波阻抗呈低阻抗特性，以电感性耦合的噪声为主。如干扰源为高电压小电流的情况，则近场主要为电场，波阻抗呈高阻抗特性，以电容性耦合的噪声为主。56令离干扰源的距离和波长之比为式

中r---干扰源和观察点之间的距离；λ---电磁波的波长。在近场时，干扰源主要为电场时波阻抗为：干扰源主要为磁场时波阻抗为：RRXXZ/11202+=1/1202+=XXRRZ573.3电磁场耦合的感应噪声一根金属导线在辐射的电磁场里，就

象一根天线，在导体上会产生正比于电场强度的感应电动势U式中----比例常数，也称天线的有效高度。导线，特别是长的I/O信号电缆、通信电缆和电源电缆等在电磁场中都能接收电磁波而感应出噪声电压。例如当垂直极化波的电场强度为100mV/m时，长度为10cm的垂直导体，可以产生5mV的感应电动

势。583.4抑制电磁波传播的主要方法——辐射屏蔽抑制电磁波传播的主要方法就是屏蔽，远场中的屏蔽包括如下两个方面：1）用金属屏蔽体把电磁场包容起来，不让它向外扩散（主动屏蔽）；2）对受干扰对象如系统、元件、电缆进行屏蔽，使之不受外界电磁场

的影响（被动屏蔽）。屏蔽效果取决于1）频率；2）屏蔽体的几何形状；3）材料性质。59金属屏蔽体对入射电磁波的衰减过程60金属屏蔽体的屏蔽效果是透过金属屏蔽体后的电磁波Et和入射波Ei的强度之比。S=20lg(Ei/Et)=A+R+B(d

B)式中：Ei---入射波强度；Et---穿透过屏蔽体后的波强度；A---电磁波在屏蔽体内传播中由于感应涡流产生的衰减，称吸收损耗；R---由于反射作用造成的入射波的损耗，称反射损耗；B---因入射波在金属屏蔽体内多次反射造成的损耗（一般可忽略）。61其中吸收损耗为（dB)式中：t---

屏蔽体厚度mm；f---频率MHz；--相对导磁率；G---相对于铜的导电率。在金属材料的导体情况下，反射损耗为可见，反射损耗和屏蔽体厚度无关。（dB)62三种材料的反射损耗曲线63远场内厚度为0.508mm的铜

屏蔽的效果总屏蔽效果dB频率kHz总屏蔽15010反射吸收641）在频率不太高的情况下，金属材料的屏蔽效果几乎是由其反射损耗R所决定的。2）反射损耗R随频率增加而降低；而吸收损耗A随频率增加而增加，即低频时的大量衰减是由于

反射损耗，而高频时大量损耗是由于吸收损耗。3）最小的屏蔽效果（R和A之和）在中频段。65请思考一个问题：抑制电磁辐射用的屏蔽层需要接地否？请注意：1）抑制三种不同耦合途径的屏蔽：◼静电屏蔽；◼电磁屏蔽；◼辐射屏蔽。其屏蔽机理、接地方式是不同的。2）静电

屏蔽层和电磁屏蔽层均具有辐射屏蔽的功能。664外部信号线缆的选择和敷设信号线缆的选择应从实用、经济和抗干扰这三个方面考虑，其中应以抗干扰能力放在首位。目前，在工程界，无论是模拟信号或数字信号，也无论是(0-

5)V、（4-20）mA的大信号或mV级的热电偶小信号，乃至电源电缆均采用带屏蔽的双绞电缆以抑制电容性耦合噪声和电感性耦合噪声。67不同的屏蔽结构材料的性能屏蔽结构干扰衰减比屏蔽效果特点铜网（密度85%）103：14

0.3dB电缆的可挠性好铜带迭卷（密度100%）376：151.5dB带有焊药，便于接地铝聚酯树脂带迭卷6610：176.4dB抗干扰效果好684.2信号电缆和电力电缆平行敷设的最小距离电力电缆的电压与工作电流信号电缆和电力电缆平行敷设的长度m<100<250<500>500125V，10A50

(mm)1002001200250V，50A1502004501200200~400V，100A2004506001200400~500V，200A30060090012003000~10000V，800A60090012001200694.3本安电路

与非本安电路敷设的最小距离非本安电路的电压非本安电路的电流>100A<100A<50A<10A>440V2000(mm)200020002000<440V2000600600600<220V200060060050

0<110V2000600500300<60V2000500300150704.4汇线桥架的敷设1）汇线桥架的材质应根据敷设场所的环境特性来选择。一般情况下可采用镀锌碳钢汇线桥架。含有粉尘、水汽及一般腐蚀性的环境，可采用喷塑或热镀锌碳钢汇线桥架。严重腐蚀的环境，可采用锌镍合金镀

层或涂高效防腐涂料的碳钢汇线桥架；也可采用带金属屏蔽网的玻璃钢汇线桥架。不要采用环氧树脂材质的桥架。因为环氧树脂材质起不到屏蔽的作用。2）汇线桥架内的交流电源线路和安全联锁线路应用金属隔板与信号线路隔开敷设。本安信号与非

本安信号线路也应用金属隔板隔开，也可采用不同汇线桥架。3）应保证桥架间有良好的电气连接，并须在桥架的两端接地，如果桥架距离较长时，应每隔30米设一个接地点。714.5其它注意事项1）通信总线和视频信号线等应单独敷设，并采取屏蔽防护措施

。我们曾经在现场用场强仪测量视频线周围的电场强度，得知其附近的电场强度可达1V/m左右，其周围的信号线常因该电场强度的干扰有群脉冲产生。722）信号电缆沟和电力电缆沟交叉时，应成直角跨跃，在交叉部分的信号电缆应采取屏蔽等隔离保

护措施。3）在采用多芯电缆时，如有较高的防干扰要求，可采用总屏加分频的信号电缆。4）信号线缆应离开避雷装置引下线（包括用作引下线的建筑配筋）和接地极有不小于2米的距离，如不可避免时，应采用金属屏蔽并接地。7

3谢谢大家